专业英语翻译，专业的英文怎么写

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今天,英特尔x86有争议,唯一的芯片,保留CISC建筑。这主要是由于在其他领域的计算机技术。价格已大幅下降的羊。在1977年,目前DRAM成本5,000美元左右。到1994年,同样数量的内存成本仅6元(当调整对通货膨胀)。编译器的技术也变得更加复杂,因此,使用RAM,RISC(精简指令集强调软件有理想。

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5. 轴上面这个齿轮的转动驱动着其他的齿轮，按照基本轮上的齿数不同，其他齿轮的旋转可能更快些或更慢些。 6. 制造齿轮的材料形成了齿轮的强度和其表面硬度，决定了它的抗磨损性。 7. 外环通常是轴承的固定部分，还包括一个沟槽来引导和支撑滚珠。 8. 在少数的操作条件温和的情况下，可以省略环和分离器，零散的滚珠可以被插入到轴和轴套之间。 9. 这些支撑着径向负荷，那些支撑着纵向负荷，那些支撑着径向负荷和纵向负荷的联合负荷。 10. 间隙角的使用是为了防止在已经切削的表面上形成???? 11. 切削工具?????各种形状的金属片，一些金属片破碎成为小片，一些为连续卷式，一些为卷式的很短的弯曲的部分。 12. 通过了解材料的特性，以及通过观察所形成的金属片的类型，机械师可以决定是否切削工具有合适的形状来对给出的材料进行切削。 13. 车床是一个机械工具，用来从固定在两个车床中心之间并可以在车床轴线转向的圆形机件的表面切削金属。 14. 在转动车床上的机件之前，要对车床中心进行基线对准，就是说两个中心的轴线要在一条直线上。 15. 当尾架被移动到车床床身的最远端时，车床床身的长度不应和两中心之间的最大距离发生混淆。 16. 车床卡盘是用来固定机件，也就是用来夹紧机件，以至于在运行时不用运动就可以旋转。 17．直接数字控制系统使用了一个可以同时控制许多机器的大型的计算机。

6，专业英语翻译

多定时装置，都是由凸轮行动。为了任何凸轮，是制作一个这是可取的，从制造业的角度来说，但它并不能保证准确的凸rious行动可以由一个凸轮的行动概况。利用径向尺寸。这是相当准确的，但有时生产布局问题，在店外。利用坐标标注。这一程序将确保准确性。在挑选其中的方法之一，应考虑功能的凸轮而言，理想的严谨性。各类凸轮凸轮板是简单到fabticate 。图。 5-1显示切线凸轮板，它通常被用来打开和关闭阀门，在正确的时间。追随者可以moced在各个模式与各上升/下降口粮。提案应加以控制，以避免突然的变化，在部队转发了由凸轮向追随者。一要精心确定横向froce组件，因为这些存在的问题desigining追随者大会指导。临界反应发生在A点和B 。这些反应值必须被计算出来的。相对垂直位置的A点与尊重到B有待提高，如果反应值B是过分了。立场的B应为封闭凸轮以尽量减少弯曲，在压路机的跟随者支持。各项议案的产品，都可以由行动的凸轮对从动件。许多定时装置，都是由凸轮行动。为了任何凸轮，是制作一个位移，其追随者;次要的跟随者，是经常被用来制作更多人流离失所，在另一地点。最受欢迎类是平板凸轮。圆柱型，是用来usef传递直线运动的一个追随者作为凸轮旋转。三维立体摄影机，有时被用来;这些提供一些不寻常的追随者提案，而且还使追随者设计难度。凸轮轴在汽车发动机说明了一个简单而重要的应用是一个凸轮板。凸轮集会，在自动记录玩家说明建立起了较为复杂的应用程序。凸轮档案是准确兴建的图形或数学方法。转变，从发展的绘图工作（商店）图纸，可以在几个方面做出：做一次完整的大规模范本。这是可取的，从制造业的角度来说，但它并不能保证准确的凸轮概况。利用径向尺寸。这是相当准确的，但有时生产布局问题，在店外。利用坐标标注。这一程序将确保准确性。在挑选其中的方法之一，应考虑功能的凸轮而言，理想的严谨性。各类凸轮凸轮板是简单到fabticate 。图。 5-1显示切线凸轮板，它通常被用来打开和关闭阀门，在正确的时间。追随者可以moced在各个模式与各上升/下降口粮。提案应加以控制，以避免突然的变化，在部队转发了由凸轮向追随者。一要精心确定横向froce组件，因为这些存在的问题desigining追随者大会指导。临界反应发生在A点和B 。这些反应值必须被计算出来的。相对垂直位置的A点与尊重到B有待提支持。各项议案的产品，都可以由行动的凸轮对从动件。许多定时装置，都是由凸轮行动。为了任何凸轮，是制作一个位移，其追随者;次要的跟随者，是经常被用来制作更多人流离失所，在另一地点。最受欢迎类是平板凸轮。圆柱型，是用来usef传递直线运动的一个追随者作为凸轮旋转。旋转的快慢要看你的机器的好与坏/。。圆柱型，的让UB的转动那就很快了

凸轮（1）各项议案的产品，都可以由行动的凸轮对从动件。许多定时装置，都是由凸轮行动。为了任何凸轮，是制作一个位移，其追随者;次要的跟随者，是经常被用来制作更多人流离失所，在另一地点。最受欢迎类是平板凸轮。圆柱型，是用来usef传递直线运动的一个追随者作为凸轮旋转。三维立体摄影机，有时被用来;这些提供一些不寻常的追随者提案，而且还使追随者设计难度。凸轮轴在汽车发动机说明了一个简单而重要的应用是一个凸轮板。凸轮集会，在自动记录玩家说明建立起了较为复杂的应用程序。凸轮档案是准确兴建的图形或数学方法。转变，从发展的绘图工作（商店）图纸，可以在几个方面做出：做一次完整的大规模范本。这是可取的，从制造业的角度来说，但它并不能保证准确的凸轮概况。利用径向尺寸。这是相当准确的，但有时生产布局问题，在店外。利用坐标标注。这一程序将确保准确性。在挑选其中的方法之一，应考虑功能的凸轮而言，理想的严谨性。各类凸轮凸轮板是简单到fabticate 。图。 5-1显示切线凸轮板，它通常被用来打开和关闭阀门，在正确的时间。追随者可以moced在各个模式与各上升/下降口粮。提案应加以控制，以避免突然的变化，在部队转发了由凸轮向追随者。一要精心确定横向froce组件，因为这些存在的问题desigining追随者大会指导。临界反应发生在A点和B 。这些反应值必须被计算出来的。相对垂直位置的A点与尊重到B有待提高，如果反应值B是过分了。立场的B应为封闭凸轮以尽量减少弯曲，在压路机的跟随者支持。

凸轮 ( 我 ) 各种不同的运动可能被对抗一个从者的凸轮行动生产。许多时间安排装置被凸轮行动操作。任何的凸轮目的要生产它的从者一个换置；一个中级的从者时常用来生产另外的一个位置的附加换置。最流行的类型是碟子凸轮。圆筒形的类型习惯于要送线的运动到一个从者如凸轮的 usef 替换。三度空间的凸轮有时被用；这些提供一些不寻常的从者运动 , 但是也使从者设计很困难。汽车的引擎凸轮轴举例说明碟子凸轮的一个简单的但是重要的申请。自动的电唱机的凸轮集会举例说明某物较复杂的申请。凸轮描绘正确地被构造被或图解式的或数学的方法。转变从发展图画到工作 (商店) 图画可能在一些方法中被做 : 制造一个实物大小的型板。这从制造业立场是令人想要的，但是它将不保证正确的凸轮描绘。使用光线的尺寸。这公平正确 , 但是有时生产商店的地面区划问题。使用同等的人物尺寸。这一个程序将会确定准确性。在选择这些方法之一方面，他应该以需要的正确考虑凸轮的功能。凸轮的类型碟子凸轮对 fabticate 是简单的。图 5-1 一个切线的碟子凸轮 , 时常被用在正确的时间打开而且关活瓣。从者可能是和各种不同的上升/ 秋天定额的各种不同的式样 moced 。运动应该被控制避免在从凸轮到从者被传输的力量方面的突然改变。一应该小心地决定水平的 froce 成份 , 自这些现在的问题 desigining 从者集会引导者以后。紧要关头的反应在点一和 B 发生。这些反应价值一定被计算。有关于 B 的点比较的垂直位置一需要被升起如果在 B 的反应价值是过度的。 B 的位置应该是如凸轮所关闭如可能的将滚筒- 从者支持的屈曲减到最少。

凸轮(1)

齿轮（１）各类机械运转可由一个齿轮的运转带动产生。许多相连设备是由齿轮带动控制的。其中任何一个齿轮转动会使其他齿轮产生位移; 辅助轮由主动轮带动。圆柱形型齿轮可产生线性运动而使其他齿轮转动。三维形状的齿轮有时是被带动运行; 像这样使其他齿轮跟着主动轮转动的设计比较有难度。凹齿齿轮轴在汽车引擎中得到应用．凸齿齿轮被应用到自动电唱机中。凸齿齿轮外形按照设计图制造的相当精确。其齿从变化设计图与操作图来说可以有几种方式: 做一块全方位模板。这是从制造商立场出发的设计, 但它不会保证齿轮外形的准确。使用辐形维度设计。这是相当准确的, 但有时会导致零件布局问题。使用坐标定位法。这个做法会保证其准确性。选择设计时应根据具体需要．齿轮类型：最简单的是凸轮。图5-1 显示一个正切板材凸轮, 应用于经常要打开和关闭阀门的位置。由它带动的可能是各样的升降定量。操作时应避免传递给被动轮力量突然变化。应仔细确定水平的力组分, 参照使用设计说明。若作用力发生在点A 和B ，必须算出这些作用力值。如果作用力值大于B，则点A相对垂直位置到B需要上升。B 的位置应该是闭合的对凸轮使其被动轮转动产生弯曲的最小处．

7，专业英语翻译

CMOS运行n沟道和p -通道与先进的工艺制造的晶体管模块，如轻掺杂漏和硅化物。掩模组基本相同采用什么第6英寸的基准进程的S除外（CMOS150）/ D和接触口罩。它使打印0.4微米器件，S / D值口罩进行了修改，以聚植入整个地区。________________________________________________________________________0.0启动晶片（10）：36-63欧姆厘米，p型，“100”，6“________________________________________________________________________1.0初始氧化：目标= 25（+ / - 5％）纳米包括2日下午蚀刻特性的假人。________________________________________________________________________1.1薄层清洁炉管（tystar2）_______________________________________________________________________1.2标准清洁晶圆sink9（马鞍山端）：10 / 1至dewet，旋转干高频下降。________________________________________________________________________1.3干式氧化在950℃（2DRYOX）：30分钟。干氧20分钟。干燥的氮气测量氧化层厚度弓形体=________________________________________________________________________2.0零层摄影标准深紫外线光刻工艺：HMDS为（项目1 svgcoat6），大衣（程序在svgcoat6 2），转速= 1480，UV210 - 0.6），软烘烤（130℃接近），暴露（ASML的，零分面具，30 mJ/cm2），烘（程序1，130 svgdev6丙），开发（程序在svgdev6 1）。硬烘烤：UVBAKE（程序?）________________________________________________________________________2.1零层蚀刻到基板：1）蚀刻氧化物lam2 SIO2MON食谱。检查实际蚀刻率，调整时间。b）在lam4蚀刻硅（目标深度= 1200）食谱= 6000，蚀刻时间30秒。注：其他选项lam4食谱6200，六氟化硫= 25秒，氯气= 30秒（食谱200和6000合并在一起）三）抄写员人数很多，每个晶圆片，包括控制。光刻胶灰基体中。四）测量的深度标记对齐使用asiq。________________________________________________________________________3.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________3.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。________________________________________________________________________3.2标准的sink9清洁晶圆（MEMS与马鞍山，浸至dewet）到高频25:1。包括北华捷报，PCH的控制晶片。________________________________________________________________________3.3干式氧化在1000℃（2DRYOX）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。在测量和NCH PCH的氧化层厚度。________________________________________________________________________3.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度.= 800长氮化物厚度测量。（nanospec）。________________________________________________________________________4.0 N阱图片：标准深紫外线光刻工艺。面膜：N阱（暗场）标准烤箱烤（30分钟。，120丙）_______________________________________________________________________________________________________________________________________________5.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?85秒。 Overetch：无选择性：氮化硅：公关= 1:1测量弓形体每个工作晶圆。（2 pnts测量）。不要删除公关。检查。覆盖厚度测量公关活动area.tpr“= 700nm的硬再次烘烤（2小时，120℃）________________________________________________________________________6.0 N阱种植：包括遗产部。分裂：晶圆＃1-5，遗产部：磷，1E13/cm2，150千电伏。晶圆＃6-10：磷，2E13/cm2，150千电伏。________________________________________________________________________7.0氮化物清除：_______________________________________________________________________7.1。矩阵公关中删除。在sink9微食人鱼清洁片_______________________________________________________________________7.2。蚀刻新鲜160荤磷酸氮化sink7（?4小时）________________________________________________________________________7.3。蚀刻在5:1的BHF垫氧化氮在sink7直到dewet。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________8.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________8.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。_______________________________________________________________________8.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统，马鞍山，25:1高频浸直到dewet）。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________8.3干式氧化在1000℃（2DRYOXA）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。关于北华捷报测量和PCH氧化层厚度。________________________________________________________________________8.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度= 800长________________________________________________________________________9.0个P -井照片：标准深紫外线光刻工艺。面膜：PWELL（逆在阱的最小间距）烤箱烤（30分钟。，120丙）________________________________________________________________________10.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?85秒。 Overetch：无选择性：氮化硅：公关= 1:1测量弓形体每个工作晶圆。（2 pnts测量）。不要删除公关。检查。覆盖厚度测量公关活动area.tpr“= 700nm的硬再次烘烤（2小时，120℃）________________________________________________________________________11.0个P -井植：硼，5E12，60KeV包括北华捷报。________________________________________________________________________12.0氮化物清除：_______________________________________________________________________12.1。矩阵公关中删除。在sink9微食人鱼清洁片_______________________________________________________________________12.2。蚀刻新鲜160荤磷酸氮化sink7（?4小时）________________________________________________________________________12.3。蚀刻在5:1的BHF垫氧化氮在sink7直到dewet。包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________13.0井道时间：________________________________________________________________________13.1薄层清洁炉管（tystar2）。_______________________________________________________________________13.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统和MOS）。包括北华捷报，PCH的控制晶片。________________________________________________________________________13.3井推动在1100℃（2WELLDR）：60分钟。温度斜路750℃至1100荤150分钟。干氧15分钟。氮气衡量两个硅片氧化层厚度。________________________________________________________________________13.4地带氧化氮在5:1的BHF直到dewet。关于遗产部，测量卢比北华捷报________________________________________________________________________14.0垫氧化/氮化物沉积：目标= 25 + 180纳米二氧化硅纳米氮化硅________________________________________________________________________14.1薄层清洁炉管（tystar2）。储备tystar9。_______________________________________________________________________14.2标准清洁晶圆sink9（微机电系统，马鞍山，25:1浸直到dewet。）包括北华捷报，遗产部+ 2假人。________________________________________________________________________14.3氧化干在1000℃（2DRYOXA）：21分钟。干氧15分钟干燥氮气退火。关于北华捷报测量氧化层厚度。________________________________________________________________________14.4存款180纳米氮化硅立即（9SNITA）：约。时间= 55分钟。，温度= 800长只有包括遗产部。测量氮化PCH的厚度。________________________________________________________________________有效面积15.0图片：性病。深紫外线光刻过程。面具兼容电视，烤箱烤120C，2小时。________________________________________________________________________16.0氮化物蚀刻：等离子蚀刻在lam4氮化。食谱：200功率：125 W的时间：?90秒。 Overetch：无测量弓形体（2分测量）在每个工作晶圆。________________________________________________________________________17.0个P -井场种植照片性病。深紫外的过程。面具PFIELD（逆阱的最小间距+法）烤箱烤120℃，2小时。________________________________________________________________________18.0个P -井场离子注入硼，2E13，80KeV________________________________________________________________________19.0 Locos氧化：目标= 550纳米________________________________________________________________________19.1薄层清洁炉管（tystar2）。________________________________________________________________________19.2删除公关氧离子（矩阵）。在sink8微机电系统及sink6马鞍山食人鱼标准清洁片，25:1 5-10秒高频下跌。）包括北华捷报，遗产部。________________________________________________________________________19.3湿式氧化法在1000℃（2WETOXA）：2小时。湿氧20分钟。氮气退火测量弓形体在3个工作片和NCH，遗产部。_______________________________________________________________________

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